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FGA25N120ANTD FGA25N120 晶体管 25N120 原装新型IGBT金属氧化物半导体场效应晶体管 (Mosfet) 《不扩散条约》和《沟槽 1200V 50A TO-3P中国大部分新现货

(4 评价)
FGA25N120ANTD FGA25N120 晶体管 25N120 原装新型IGBT金属氧化物半导体场效应晶体管 (Mosfet) 《不扩散条约》和《沟槽 1200V 50A TO-3P中国大部分新现货
FGA25N120ANTD FGA25N120 晶体管 25N120 原装新型IGBT金属氧化物半导体场效应晶体管 (Mosfet) 《不扩散条约》和《沟槽 1200V 50A TO-3P中国大部分新现货
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重要属性

行业属性

型号
FGA25N120ANTD
品牌
Original
封装类型
引脚直插式封装

其他属性

原产地
California, United States
应用
音箱
供应类型
原始制造商, 代理机构, 零售商
相似属性可替代料号
中国制造, 批量新建
可参考资料
照片
类型
三极管晶体管
包装/案例
TO-3P
包装
导管
无铅状态/RoHS状态
无铅/符合RoHS标准
装运方式
DHL/UPS/Fedex/等
最好的价格
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包装和发货信息

Packaging Details
TO-3P
Port
Shenzhen/Hongkong/Guangzhou
销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
20X14X4 厘米
单品毛重:
0.030 公斤

供应能力

供应能力
600000 件 per Day

交货时间

数量 (pieces) 1 - 1000 > 1000
美国东部时间(天) 1 待定

定制选项

供应商的产品说明

警告/免责声明
加州65号提案消费者提示
产品细节

product Description-

包装
零件状态 活动
IGBT型 不扩散条约和战壕
集电极发射极击穿 (最大值) 1200V
集电器 (Ic) (最大值) 50A
集电器脉冲 (Icm) 90A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V,50A
功率-最大 312W
开关能量 4.1mJ (开),960 & micro;J (关)
输入类型 标准
门电荷 200nC
Td (开/关) @ 25 °C 50纳秒/190纳秒
测试条件 600V,25A,10ohm,15V
反向恢复时间 (trr) 350纳秒
工作温度 -55 °C〜150 °C (TJ)
安装类型 通孔
包装/箱子 TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备包 TO-3P
基本零件号 FGA25N120A

-1-2.jpg---_04

Business card.jpg

5 - 29 pieces
¥52.31
30 - 99 pieces
¥52.24
100 - 999 pieces
¥51.95
>= 1000 pieces
¥36.08

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