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High Quality Original IC CHIPS 2SB1375 B1375 2SB688 B688 2SD718 D718 Transistor Electronic components SMT Bom one-stop service

暂无评价
ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd 实力品牌商 15 yrs CN
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重要属性

行业属性

型号
2SB1375
种类
Transistor
品牌
Original
封装类型
引脚直插式封装

其他属性

安装类型
Throught Hole
描述
Transistor
原产地
Original
封装/外壳
SMD/DIP
D/C
21+
供应类型
Other
可参考资料
数据表
品名
2SB1375
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
N/A
电压 - 集射极击穿（最大值）
N/A
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
N/A
电流 - 集电极截止（最大值）
N/A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
N/A
功率 - 最大值
N/A
频率 - 跃迁
N/A
操作温度
150°C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
N/A
电阻器 - 发射极基底（R2）
N/A
FET 类型
N/A
FET 功能
N/A
漏源电压（Vdss）
N/A
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
N/A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
N/A
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
N/A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
N/A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
N/A
响应频率(Hz)
N/A
额定电流
N/A
噪声系数
N/A
功率-输出
N/A
电压-额定
N/A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
N/A
Vgs（最大值）
N/A
IGBT 类型
N/A
配置
N/A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
N/A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
N/A
输入
N/A
NTC 热敏电阻
N/A
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
N/A
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
N/A
漏极电流（Id） - 最大值
N/A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
N/A
电阻 - RDS（开）
N/A
电压
N/A
电压-输出
N/A
电压 - 偏移（Vt）
N/A
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
N/A
电流 - 谷值（Iv）
N/A
电流 - 峰值
N/A
应用
N/A
Type
Triode Transistor
Mounting Type
Throught Hole

包装和发货信息

Packaging Details
New and Original, factory sealed packing, it will be pack in one of these packing type: Tube, Tray, Tape and Reel, Tape and Box, Bulk packing, Bag and etc. Please kindly contact us for more details.
Port
SHENZHEN

供应能力

供应能力
10000 件 per Week
展开

交货时间

供应商的产品说明

20 - 499 pairs
¥2.17
500 - 1999 pairs
¥1.45
>= 2000 pairs
¥0.7215

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