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高速,低压N通道MOSFET 80V TK100E08N1 K100E08N1
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Shenzhen Futian District Jin Dapeng Electronic Firm
5 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
TK100E08N1
种类
晶体管
品牌
/
封装类型
Through Hole
其他属性
原产地
China
D/C
20 +
供应类型
原始制造商, ODM, 代理机构
相似属性可替代料号
/
可参考资料
数据表, 照片
品名
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
操作温度
150 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
产品类型
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
操作模式
增强模式
晶体管式
1 N-Channel
系列
TK100E08N1
晶体管极性
N-Channel
产品类别
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
功耗-Max
255 W
包装和发货信息
Port
shenzhen
销售单位:
单一商品
单品包装尺寸:
10X5X8 厘米
单品毛重:
0.001 公斤
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 100
> 100
美国东部时间(天)
2
待定
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