IRF530 MOSFET IGBT晶体管IRF530NPBF全新原装现货低价联系客服了解更多零件IRF530N

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Shenzhen Asia Ocean Electronics Co., Ltd. 3 yrs

CN

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重要属性

行业属性

型号

IRF530

种类

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

品牌

standard

封装类型

引脚直插式封装

其他属性

安装类型

Throught Hole

描述

MOSFET

原产地

original

封装/外壳

标准

类型

MOSFET

工作环境温度

标准

系列

标准

D/C

24 +

应用

MOSFET

供应类型

原始制造商

相似属性可替代料号

标准

可参考资料

标准

品名

标准

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

标准

电压 - 集射极击穿（最大值）

标准

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

标准

电流 - 集电极截止（最大值）

标准

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

标准

功率 - 最大值

标准

频率 - 跃迁

标准

操作温度

standard

安装方式

引脚直插式封装

电阻器 - 基底（R1）

标准

电阻器 - 发射极基底（R2）

标准

FET 类型

标准

FET 功能

标准

漏源电压（Vdss）

标准

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

标准

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

标准

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

标准

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

标准

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

标准

响应频率(Hz)

标准

额定电流

标准

噪声系数

标准

功率-输出

标准

电压-额定

标准

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

标准

Vgs（最大值）

标准

IGBT 类型

标准

配置

标准

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）

标准

不同 Vce 时的输入电容（Cies）

标准

输入

标准

NTC 热敏电阻

标准

电压 - 击穿（V（BR）GSS）

标准

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）

标准

漏极电流（Id） - 最大值

标准

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

标准

电阻 - RDS（开）

标准

电压

标准

电压-输出

标准

电压 - 偏移（Vt）

标准

电流 - 栅极至阳极漏（Igao）

标准

电流 - 谷值（Iv）

标准

电流 - 峰值

标准

应用

标准

保修

30-90天

质量

100% 原创100% 品牌

填料

新 * 原包装

WHATSAPP

+ 86 13570295083

包装和发货信息

销售单位：

单一商品

单品包装尺寸：

5X5X5 厘米

单品毛重：

0.500 公斤

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