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库存原装全新晶体管MRFE6VP61K25HR6

暂无评价
Shenzhen Kazy Tech Co., Ltd. 3 yrs CN
库存原装全新晶体管MRFE6VP61K25HR6
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重要属性

行业属性

型号
MRFE6VP61K25HR6
种类
RF TRANSISTOR
品牌
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封装类型
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其他属性

安装类型
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描述
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原产地
United States
封装/外壳
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类型
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工作环境温度
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系列
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D/C
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应用
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供应类型
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相似属性可替代料号
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可参考资料
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品名
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电流 - 集电极（Ic）（最大值）
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电压 - 集射极击穿（最大值）
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不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
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电流 - 集电极截止（最大值）
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不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
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功率 - 最大值
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频率 - 跃迁
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操作温度
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安装方式
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电阻器 - 基底（R1）
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电阻器 - 发射极基底（R2）
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FET 类型
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FET 功能
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漏源电压（Vdss）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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响应频率(Hz)
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额定电流
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噪声系数
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功率-输出
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电压-额定
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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Vgs（最大值）
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IGBT 类型
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配置
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不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
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不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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输入
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NTC 热敏电阻
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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漏极电流（Id） - 最大值
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不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
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电阻 - RDS（开）
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电压
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电压-输出
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电压 - 偏移（Vt）
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电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
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电流 - 谷值（Iv）
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电流 - 峰值
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应用
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晶体管类型
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包装和发货信息

Packaging Details
原件
展开

交货时间

供应商的产品说明

>= 10 pieces
¥1,946.80

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