Jeking 40V Vds 20V Vgs SO-8 4447A MOSFET SI4447ADY-T1-GE3

Name: Jeking 40V Vds 20V Vgs SO-8 4447A MOSFET SI4447ADY-T1-GE3
Brand: Shenzhen Jeking Electronic Corp.
SKU: 1601350559063
Price: 0.3 USD
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Shenzhen Jeking Electronic Corp.

实力供应商 9 yrs

Jeking 40V Vds 20V Vgs SO-8 4447A MOSFET SI4447ADY-T1-GE3

重要属性

行业属性

型号

SI4447ADY-T1-GE3

种类

IGBT晶体管

品牌

original brand

封装类型

表面贴片封装

其他属性

安装类型

SMD/SMT

描述

晶体管

原产地

California, United States

封装/外壳

TO-247-3

D/C

应用

品名

SI4447ADY-T1-GE3

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

电压 - 集射极击穿（最大值）

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

电流 - 集电极截止（最大值）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

功率 - 最大值

频率 - 跃迁

操作温度

安装方式

电阻器 - 基底（R1）

电阻器 - 发射极基底（R2）

FET 类型

FET 功能

漏源电压（Vdss）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

响应频率(Hz)

额定电流

噪声系数

功率-输出

电压-额定

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

Vgs（最大值）

IGBT 类型

配置

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）

不同 Vce 时的输入电容（Cies）

输入

NTC 热敏电阻

电压 - 击穿（V（BR）GSS）

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）

漏极电流（Id） - 最大值

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

电阻 - RDS（开）

电压

电压-输出

电压 - 偏移（Vt）

电流 - 栅极至阳极漏（Igao）

电流 - 谷值（Iv）

电流 - 峰值

应用

零件号

SI4447ADY-T1-GE3

晶体管极性:

P沟道

频道数量:

1频道

Vds-漏源击穿电压:

40 V

Id-连续漏极电流:

7.2 A

Rds导通-漏-源电阻:

45 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:

-20 V, + 20 V

Vgs th-栅极-源极阈值电压:

1.2 V

Pd-功耗:

4.2瓦

通道模式:

增强功能

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销售单位：

单一商品

单品包装尺寸：

11X12X9 厘米

单品毛重：

0.500 公斤

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