乔东集成电路全新原装功率晶体管TO-220F B1375 2SB1375

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Shenzhen Zhendongxin Electronic Technology Co., Ltd. 4 yrs

CN

乔东集成电路全新原装功率晶体管TO-220F B1375 2SB1375

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重要属性

行业属性

型号

2SB1375

种类

Power Transistor

品牌

Original

封装类型

-

其他属性

安装类型

-

描述

-

原产地

Original

封装/外壳

-

D/C

Newest

应用

-

品名

-

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

-

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

-

电流 - 集电极截止（最大值）

-

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

-

功率 - 最大值

-

频率 - 跃迁

-

操作温度

-

电阻器 - 基底（R1）

-

电阻器 - 发射极基底（R2）

-

FET 类型

-

漏源电压（Vdss）

-

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

-

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

-

响应频率(Hz)

-

额定电流

-

噪声系数

-

功率-输出

-

电压-额定

-

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

-

Vgs（最大值）

-

IGBT 类型

-

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）

-

不同 Vce 时的输入电容（Cies）

-

输入

-

NTC 热敏电阻

-

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）

-

漏极电流（Id） - 最大值

-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

-

电阻 - RDS（开）

-

电压

-

电压-输出

-

电压 - 偏移（Vt）

-

电流 - 栅极至阳极漏（Igao）

-

电流 - 谷值（Iv）

-

电流 - 峰值

-

应用

-

D/C

New

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Original 100%

Warranty

1 Year

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1 Pcs

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1-3 Working Days

Datasheet

Contact Manager

Package / Case

TO-220F

包装和发货信息

Packaging Details

托盘、管子、卷轴。纸盒

Port

shenzhen

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256 - 511 pieces

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512 - 1023 pieces

¥3.61

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¥0.7937

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