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N-Channel 100V 42A MOSFET Transistor IRFP150 IRFP150NPBF IRFP150N

暂无评价
Shenzhen Wei Jing Chuang Technology Co., Ltd. 2 yrs CN
N-Channel 100V 42A MOSFET Transistor IRFP150 IRFP150NPBF IRFP150N
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重要属性

行业属性

型号
IRFP150NPBF
种类
Standard
品牌
standard
封装类型
表面贴片封装

其他属性

安装类型
standard
描述
standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
standard
类型
integrated circuit
工作环境温度
Standard
系列
Standard
D/C
New
应用
传声器
供应类型
原始制造商
相似属性可替代料号
PNP 40V 600mA
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, Other
品名
MOS
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
1
电压 - 集射极击穿（最大值）
1
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
1
电流 - 集电极截止（最大值）
1
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
1
功率 - 最大值
1
频率 - 跃迁
1
操作温度
Original
安装方式
Original
电阻器 - 基底（R1）
1
电阻器 - 发射极基底（R2）
1
FET 类型
1
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
1
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
1
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1
响应频率(Hz)
1
额定电流
1
噪声系数
1
功率-输出
1
电压-额定
1
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1
Vgs（最大值）
1
IGBT 类型
1
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
1
输入
1
NTC 热敏电阻
1
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
1
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1
漏极电流（Id） - 最大值
1
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
1
电阻 - RDS（开）
1
电压
1
电压-输出
1
电压 - 偏移（Vt）
1
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
1
电流 - 谷值（Iv）
1
电流 - 峰值
1
应用
Standard
晶体管类型
standard
Package
TO-247
Part number
IRFP150N
Packaging
Tube
Lead Free Status
Lead free/RoHS
Lead time
In stock
Supply Voltage
Common
Operating Temperature
Standard
Get datasheet
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Payment
D/P,T/T,Western Union,Palpay

包装和发货信息

销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
15X15X5 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
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