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全新原装2SK3155 K3155功率Mosfet n沟道晶体管150V 15A 130毫欧220电子元件
暂无评价
Shenzhen Ruichenyu Technology Co., Ltd.
3 yrs
CN
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重要属性
行业属性
型号
2SK3155 K3155
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
标准
描述
晶体管Mosfet n沟道
原产地
China
封装/外壳
标准
D/C
最新日期代码
应用
通用用途
供应类型
原始制造商, 代理机构, 零售商
可参考资料
数据表, 照片
品名
晶体管Mosfet n沟道
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
标准
电压 - 集射极击穿(最大值)
标准
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
标准
电流 - 集电极截止(最大值)
标准
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
标准
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底(R1)
标准
电阻器 - 发射极基底(R2)
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
标准
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
标准
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
标准
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
标准
Vgs(最大值)
标准
IGBT 类型
标准
配置
单排
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
标准
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
标准
零件号
2SK3155 K3155
日期代码
最新日期代码
条件
新的原厂商品
保修
365天
最小起订量
1 pc
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 1500
1501 - 3000
> 3000
美国东部时间(天)
2
5
待定
供应商的产品说明
1 - 999 pieces
¥5.85
>= 1000 pieces
¥1.47
数量
-
+
物流
所选数量暂无运输解决方案
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运费总计
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