SMD晶体管2N7002 0.115A 60V MOSFET N沟道晶体管702

Name: SMD晶体管2N7002 0.115A 60V MOSFET N沟道晶体管702
Brand: Shenzhen Goldtech Electronics Co., Limited
SKU: 1600493995892
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Shenzhen Goldtech Electronics Co., Limited 6 yrs

SMD晶体管2N7002 0.115A 60V MOSFET N沟道晶体管702

高性能MOSFET晶体管: 2N7002晶体管是高性能MOSFET n沟道晶体管，适用于各种电子应用。其工作温度范围为-55 °C至150 °C (TJ)，使其在极端温度条件下可靠。
高漏极到源极电压: 该晶体管的最大漏极到源极电压 (Vdss) 为60v，可以处理高电压应用。这使得它非常适合用于电源管理和开关电路。
低电阻: 晶体管在500mA时具有7.5ohm的最大RDS(on)，确保低电阻和高效的功率传输。
紧凑的表面贴装封装: 2N7002晶体管采用紧凑的SOT-23-3封装，使其适合表面贴装技术 (SMT) 应用，如John所要求的。
宽范围的驱动电压: 晶体管可以在5v至10v的驱动电压下工作，提供电路设计的灵活性和与各种电源的兼容性。

收起

重要属性

行业属性

种类

其他

封装类型

表面贴片封装

其他属性

原产地

China

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

品名

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) n沟道60V 115MA SOT-23

操作温度

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

安装方式

表面贴片封装

FET 类型

N-Channel

漏源电压（Vdss）

60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

115mA (Ta) 更多新品资讯

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

7.5Ohm @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

2.5V @ 250uA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

50pF @ 25V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

5V，10V

Vgs（最大值）

± 20V

类型

双极结型晶体管

包装和发货信息

Packaging Details

Anti-static packaging

Port

shenzhen

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