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STV160NF02LT4 Mosfet晶体管n沟道20 V 160A (Tc) 210W (Tc) SMD 10-PowerSO STV160NF02LT4

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Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd. 实力供应商 3 yrs CN
STV160NF02LT4 Mosfet晶体管n沟道20 V 160A (Tc) 210W (Tc) SMD 10-PowerSO STV160NF02LT4
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重要属性

行业属性

型号
STV160NF02LT4
种类
标准
品牌
leixinrui
封装类型
标准

其他属性

安装类型
标准
描述
标准
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
PowerSO-10外露底垫
D/C
标准
应用
标准
可参考资料
标准
品名
电子元件
功率 - 最大值
210瓦 (Tc)
操作温度
175 °C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
FET 类型
N通道
漏源电压（Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
160A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.5mOhm @ 80A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
160 nC @ 10 V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4800 pF @ 15 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V, 10V
Vgs（最大值）
± 15V
应用
-

包装和发货信息

Packaging Details
传统纸箱包装
展开

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