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供应新原装场效应晶体管大功率MOS晶体管TO-3P封装FDA59N30

暂无评价 30 已售
Shenzhen Yushuoxin Semiconductor Technology Co., Ltd. 5 yrs CN
供应新原装场效应晶体管大功率MOS晶体管TO-3P封装FDA59N30
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重要属性

行业属性

型号
FDA59N30
种类
field-effect transistor high-power MOS transistor
品牌
EKOWEISS

其他属性

安装类型
倾角
描述
倾角
原产地
KOREA
封装/外壳
TO-3P包装
类型
场效应晶体管大功率MOS晶体管
工作环境温度
-55 ℃ 至 + 175 ℃
系列
FDA59N30
D/C
最近年份
供应类型
原始制造商, ODM, 代理机构, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
FDA59N30
操作温度
-55℃TO+175℃
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
稳定
电压-额定
稳定
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
稳定
电压 - 偏移（Vt）
稳定
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
电源
晶体管类型
场效应晶体管大功率MOS晶体管

包装和发货信息

Packaging Details
全新原装原盒元标签。
Port
Hong Kong, Guangzhou, Shenzhen
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X5X4 厘米
单品毛重：
0.500 公斤
展开

交货时间

供应商的产品说明

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¥0.2924
1000 - 4999 pieces
¥0.2193
5000 - 99999 pieces
¥0.1462
>= 100000 pieces
¥0.0731

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