onsemi / Fairchild FDD86326 MOSFET 80V n沟道功率沟槽MOSFET

Name: onsemi / Fairchild FDD86326 MOSFET 80V n沟道功率沟槽MOSFET
Brand: Shenzhen Cactus Electronics Co., Ltd.
SKU: 1601013176301
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Shenzhen Cactus Electronics Co., Ltd. 4 yrs

onsemi / Fairchild FDD86326 MOSFET 80V n沟道功率沟槽MOSFET

重要属性

行业属性

型号

FDD86326

种类

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

品牌

onsemi

其他属性

安装类型

SMD/SMT

描述

onsemi MOSFET

原产地

United States

封装/外壳

DPAK-3 (TO-252-3)

类型

MOSFET

工作环境温度

-55 C至 + 150 C

系列

FDD86326

D/C

22 +/23 +

晶体管类型

1个N通道

晶体管极性

N通道

频道数量

1频道

Vds-漏源击穿电压

80 V

Id-连续漏极电流

37 A

Vgs-栅极-源极电压

-20 V, + 20 V

Vgs th-栅源阈值电压

3.1 V

Qg-栅极电荷

7.6 nC

工作温度

-55 C至 + 150 C

Pd-功耗

62瓦

正向跨导-最小值

21秒

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